|
詳細情報 |
|||
| ハイライト: | SS8050W,npn シリコン エピタキシアル 平面トランジスタ,高収納電流エピタキシアル平面トランジスタ |
||
|---|---|---|---|
製品の説明
SOT-323 高周波低騒音トランジスタ (PNP)
特徴
- コレクター電流 (IC=1.5A)
- SS8550Wの補完として
- コレクター消耗:PC=200mW (TC=25°C)
応用
- 高電流のコレクター
注文情報
タイプ番号:SS8050W
標識:Y1
パッケージコード:SOT-323
電気特性 @ Ta=25 °C 異なることが指定されていない限り
| パラメータ | シンボル | 試験条件 | ミニ | タイプ | マックス | ユニット |
| コレクターベース断熱電圧 | V(BR)CBO について | IC=100μA,IE=0 | 40 | V | ||
| コレクター・エミッター断熱電圧 | V(BR)CEO | IC=2mA,IB=0 | 25 | V | ||
| エミッター・ベース断熱電圧 | V (BR) EBO | IE=-100μA,IC=0 | 5 | V | ||
| コレクターの切断電流 | ICBO | VCB=40V,IE=0 | 0.1 | μA | ||
| コレクターの切断電流 | ICEO | VCE=20V,IB=0 | 0.1 | μA | ||
| エミッター切断電流 | IEBO | VEB=5V,IC=0 | 0.1 | μA | ||
| DC電流増幅 |
hFE |
VCE=1V,IC=100mA | 120 | 400 | ||
| VCE=1V,IC=800mA | 40 | |||||
| コレクター・エミッター 飽和電圧 | VCE (衛星) | IC=800mA,IB=80mA | 0.5 | V | ||
| ベース・エミッター 飽和電圧 | VBE (sat) | IC=800mA,IB=80mA | 1.2 | V | ||
| ベース・エミッター電圧 | VBE | VCE=1V IC=10mA | 1 | V | ||
| 移行頻度 | fT | VCE=10V,IC=50mA f=30MHz | 100 | メガHz |
HFEの分類 (1)
| ランク | L について | H | J |
| 範囲 | 120〜200 | 200〜350 | 300〜400 |
典型的な 特徴 @タ=25 °Cもしくは そうでない場合 指定された
この製品の詳細を知りたい