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詳細情報 |
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| タイプ: | ショットキー ダイオード | 特徴: | 共通の陰極の構造 |
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| 材料: | ケイ素 | 最高。前方流れ: | 30A、30A |
| 最高。前方電圧: | 0.9V、0.9V | 最高。逆電圧: | 200V |
| ハイライト: | 高性能のショットキー ダイオード,ULショットキーのダイオード,ケイ素のショットキー バリア・ダイオード |
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製品の説明
高周波スイッチ電源用の低電力損失高効率ショットキー ダイオード
MBR10100.pdf
ショットキーダイオードは、発明者のショットキー博士（Schottky）にちなんで名付けられており、SBDはショットキーバリアダイオード（Schottky Barrier Diode、略称SBD）の略称です。SBDは、P型半導体とN型半導体を接触させてPN接合を形成する原理ではなく、金属と半導体を接触させて形成される金属半導体接合の原理を利用して作られています。したがって、SBDは金属半導体（接触）ダイオードまたは表面バリアダイオードとも呼ばれ、ホットキャリアダイオードの一種です。
特徴
1. カソード共通構造
2. 低電力損失、高効率
3. 高い動作ジャンクション温度
4.過電圧保護用のガードリング、高信頼性
5.RoHS対応品
アプリケーション
1. 高周波スイッチ 電源
2. フリーホイールダイオード、極性保護用途
主な特徴
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IF(AV) |
10(2×5)A |
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VF(最大) |
0.7V (@Tj=125℃) |
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ティ |
175℃ |
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VRRM |
100V |
製品メッセージ
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モデル |
マーキング |
パッケージ |
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MBR10100 |
MBR10100 |
TO-220C |
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MBRF10100 |
MBRF10100 |
TO-220F |
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MBR10100S |
MBR10100S |
TO-263 |
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MBR10100R |
MBR10100R |
TO-252 |
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MBR10100V |
MBR10100V |
TO-251 |
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MBR10100C |
MBR10100C |
TO-220 |
絶対定格（Tc=25℃）
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パラメータ |
シンボル |
価値 |
ユニット |
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繰り返しピーク逆電圧 |
VRRM |
100 |
V |
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最大DC阻止電圧 |
VDC |
100 |
V |
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平均順電流 |
TC=150℃(TO-220/263/252)TC=125℃(TO-220F) |
デバイスごと
ダイオードあたり |
IF(AV) |
10 5 |
あ |
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サージ非繰り返し順電流 8.3 ms 単一半正弦波 (JEDEC 方式) |
IFSM |
120 |
あ |
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最大ジャンクション温度 |
ティ |
175 |
℃ |
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保存温度範囲 |
TSTG |
-40～+150 |
℃ |
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