CMS 1206 SMDの動きはガラス層が塗られる多層破片のバリスターを波立たせる

CMS 1206 SMDの動きはガラス層が塗られる多層破片のバリスターを波立たせる

商品の詳細:

起源の場所: 中国
ブランド名: Uchi
証明: ROHS,REACH
モデル番号: NTC QV1206H180KT、QV0806P241KT201

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価格: Negotiable
パッケージの詳細: 巻き枠のテープ
受渡し時間: 2週
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詳細情報

タイプ: NTCのサーミスター 特徴: 、excellenthumidityの抵抗ガラス層と塗られる、高いreliabilityandの安定性ののミニチュア サイズ、鉛無し、高密度SMTの取付けにとって理想的な優秀なsolderabili
広い実用温度範囲:: -55℃~+125℃; 特徴2: さまざまな適用のために一定した一連のB
部品番号。: QV1206H180KT、QV0806P241KT201 QV: 破片のバリスター
バリスターの電圧の許容: ±10% バリスターVoltage@1mA: 240V、470V
ハイライト:

CMS 1206の多層破片のバリスター

,

動きは多層破片のバリスターを波立たせる

,

470VバリスターNTCのサーミスター

製品の説明

CMS 1206 SMDの動きの多層サージの破片のバリスター

SMDの抵抗器は、ガラスにはんだ付けし、退潮はんだ付けすることのための高密度表面取り付け、優秀なsolderabilityおよび熱衝撃の抵抗、および適したのために適した鉛なしで小さい。

 

高いサージ電流の抑制のための破片のバリスター

CMS 1206 SMDの動きはガラス層が塗られる多層破片のバリスターを波立たせる 0

タイプ
QV  破片のバリスター

 

②(mm)

外のり寸法L×W

1206 3.2× 1.6
1210 3.2×2.5
1812 4.5×3.2
2220 5.7×5.0

 

③アプリケーション コード
H

高いサージ電流の抑制

 

 

④ 

最高DCの作動の電圧

180 18V
650 65V

 

 

⑤ 

バリスターの電圧の許容

K ±10%
L ±15%

 

 

⑥包装
T テープ
B 大きさ

 

CMS 1206 SMDの動きはガラス層が塗られる多層破片のバリスターを波立たせる 1

パワーラインの保護のための破片のバリスター

CMS 1206 SMDの動きはガラス層が塗られる多層破片のバリスターを波立たせる 2

 

①タイプ
QV  破片のバリスター

 

③アプリケーション コード
P  パワーラインの保護

 

④バリスターの電圧@ 1mA
241 240V
471 470V

 

⑥包装
T テープ
B 大きさ

 

 

②(mm)

外のり寸法L×W

0806 2.0×1.6
1206 3.2×1.6
1210 3.2×2.5
1812 4.5×3.2
2220 5.7×5.0

 

⑤バリスターの電圧の許容
K ±10%

 

⑦最高。Su GE現在の@8/20μsr
RA 最高2.5KV。リング波の電圧
201 200A

 

 

ガラス層、excellenthumidityの抵抗、高いreliabilityandの安定性が塗られる特徴の
ミニチュア サイズ、鉛無し、高密度SMTの取付けにとって理想的な優秀なsolderability
広い実用温度範囲:- 55℃~+125℃;
さまざまな適用のために一定した一連のB
 
適用
携帯電話、自動車電話、等としてテレコミュニケーションのequipmentsuch。
プリンター、ファクシミリ、プロジェクター、卓上コンピュータ、等のようなオフィス・オートメーション。
ビデオ レコーダー、ラップトップ、身につけられる装置、等のような家電。
電源、充電電池および充電器、LEDの照明のような他分野、等。
 
CMS 1206 SMDの動きはガラス層が塗られる多層破片のバリスターを波立たせる 3
 

 

高いサージ電流の抑制のための破片のバリスター

構造および次元

 

タイプ L (mm) W (mm) T (mm) a (mm)
0402 1.00±0.10 0.50±0. 10 0.50±0. 10 0.25±0. 15
0603 1.60±0.15 0.80±0. 15 0.80±0. 15 0.30±0.20
0805 2.00±0.20 1.25±0.20 0.85±0.20 0.50±0.30
1206 3.20±0.20 1.60±0.20 1.2最高。 0.50±0.25
1210 3.20±0.25 2.50±0.25 1.5最高。 0.50±0.25
1812 4.50±0.30 3.20±0.30 2.5最高。 0.25~1.0
2220 5.70±0.40

5.00±0.40

 

2.5最高。 0.25~1.0

 

部分

 

部品

ZnOの半導体の製陶術のための

破片のバリスター

 

内部電極

(AgかAg Pd)

 

末端の電極

(Ag/Ni/Sn 3つの層)

 高密度取付けの優秀な締め金で止める比率そして強いcapabilのtyiのためにの適したSMDのタイプ

電圧サージの抑制

 優秀なsolderabのlity (NI、iのSnのめっき)

適用

、PLC、自動車電子工学、工業計器、スマートなメートル、制御および測定装置、等セキュリティ システムのために使用される。

 

パワーラインの保護のための破片のバリスター

構造および次元

CMS 1206 SMDの動きはガラス層が塗られる多層破片のバリスターを波立たせる 2

 
 タイプ L (mm) W (mm) T (mm) a (mm)
0604 0604 1.6±0.2 1.0±0.2 1.0±0.2
0805 2.0 ±0.2 1.25±0.2 1.25±0.2 0.50±0.30
0806 2.0±0.25 1.6±0.25 1.6±0.25 0.50±0.30
1206 3.2 ±0.3 1.6±0.3 1.6±0.3 0.50±0.30

 

 

 

 部分

 

部品

半導体の製陶術のための

破片のバリスター

内部電極

(AgかAg Pd)

末端の電極

(Ag/Ni/Sn 3つの層)

特徴

 

高密度取付けの優秀な締め金で止める比率そして強いcapabilのtyiのためにの適したSMDのタイプ

電圧サージの抑制

 AC回路のために適した高圧バリスター

適用

、ネットワーク・インターフェイス電源のために使用される、LEDの照明。加鉛バリスターの部品を取り替えることできる。

 

 

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